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BSM50GD120DN2G中文资料

  • 大小：182.91KB
  • 厂家：SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
  • 描述：IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)
  • 制造商：Infineon
  • 产品种类：IGBT 模块
  • 产品：IGBT Silicon Modules
  • 配置：Hex
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
  • 集电极—射极饱和电压：2.5 V
  • 在25 C的连续集电极电流：78 A
  • 栅极—射极漏泄电流：200 nA
  • 功率耗散：400 W
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 封装 / 箱体：EconoPACK 3A
  • 栅极/发射极最大电压：20 V
  • 安装风格：Screw
  • 工厂包装数量：500

BSM50GD120DN2G供应商

更新时间:2023-01-12 20:41:37
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